| 发明名称 | 半导体器件、制造电极的方法以及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：p型氮化物半导体层(14)；以及p侧电极(18)，包括连接到所述氮化物半导体层(14)的表面的氧化钯膜(30)。 | ||
| 申请公布号 | CN100459196C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200680000332.3 | 申请日期 | 2006.02.21 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 斋藤真司;布上真也;冈俊行 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/042(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L29/45(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：p型氮化物半导体层；以及p侧电极，包括连接到所述氮化物半导体层的表面的氧化钯膜，其中所述氧化钯膜包括硫化铂结构型氧化钯晶体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||