发明名称 |
鳍型场效应晶体管及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及FinFET结构以及形成FinFET器件的方法。该方法包括:(a)提供半导体衬底(100);(b)在所述衬底(100)的顶表面(105)上形成电介质层(110);(c)在所述电介质层(110)的顶表面(115)上形成硅鳍(135);(d)在所述鳍(135)的至少一个侧壁(150A)上形成保护层(160);以及(e)在所述鳍(135)的沟道区(175)中从所述至少一个侧壁(150A)去除所述保护层(160)。在第二实施例中,保护层(160)转变为保护间隔物(210A)。 |
申请公布号 |
CN100459126C |
申请公布日期 |
2009.02.04 |
申请号 |
CN200480032293.6 |
申请日期 |
2004.11.05 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
布伦特·A·安德森;爱德华·J·诺瓦克;杰德·H·兰金 |
分类号 |
H01L27/01(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/8238(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/01(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李晓舒;魏晓刚 |
主权项 |
1.一种形成FinFET器件的方法,包括:(a)提供半导体衬底;(b)在所述衬底的顶表面上形成电介质层;(c)在所述电介质层的顶表面上形成硅鳍;(d)在所述鳍的至少一个侧壁上形成保护层;以及(e)在所述鳍的沟道区中从所述至少一个侧壁去除所述保护层。 |
地址 |
美国纽约阿芒克 |