| 发明名称 | 一种ZnO/MgB<SUB>2</SUB>异质结材料及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及ZnO/MgB<SUB>2</SUB>异质结材料和制法，该材料包括在衬底上长10纳米～10微米厚二硼化镁膜，在其上长10纳米～10微米厚ZnO膜。采用常规制薄膜工艺制备先驱MgB<SUB>2</SUB>薄膜，将MgB<SUB>2</SUB>先驱硼膜和0.1～3.0克的镁封闭在石英管中抽真空封闭，放在马弗炉中烧结得到MgB<SUB>2</SUB>薄膜；把MgB<SUB>2</SUB>薄膜和氧化锌靶安装在脉冲激光沉积设备真空室内，在真空度1×10<SUP>-3</SUP>～5×10<SUP>-8</SUP>Pa以上，温度为150℃-600℃下；用能量为120毫焦至450毫焦的准分子脉冲激光聚焦到氧化锌靶或者掺杂氧化锌靶上，进行沉积得到ZnO/MgB<SUB>2</SUB>异质结。所制备异质结可以用作远红外至可见光至紫外光的探测器。 | ||
| 申请公布号 | CN100459179C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200510107826.9 | 申请日期 | 2005.09.30 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 赵嵩卿;周岳亮;赵昆;刘震;王淑芳;韩鹏;陈正豪;吕惠宾;程波林;何萌;杨国桢 |
| 分类号 | H01L31/109(2006.01);H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L31/109(2006.01) |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高存秀 |
| 主权项 | 1.一种ZnO/MgB2异质结材料，包括在衬底上生长一层MgB2膜，其特征在于，在MgB2膜上生长一层ZnO膜，其中MgB2膜厚度在10纳米～10微米；ZnO膜厚度在10纳米～10微米。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||