具有分割阱结构的隔离高压LDMOS晶体管

摘要

根据本发明的隔离高压LDMOS晶体管包括位于延伸的漏极区域中的分割N阱和P阱。P阱在N阱的延伸的漏极区域中进行分割，以在N阱中形成一分割接面场。分割N阱和P阱耗尽漂移区域，以将电场最大值转移到N阱的本体内。这达到更高的击穿电压并允许N阱具有更高的掺杂密度。此外，根据本发明的LDMOS晶体管包括嵌入源极扩散区域的下面的N阱。这为源极区域提供一低阻抗路径，以限制漏极区域与源极区域之间的晶体管电流流动。

主权项

1.一种LDMOS晶体管，其特征在于其包括：一P衬底；具有N导电性类型的一第一扩散区域和一第二扩散区域，其中所述第一扩散区域和所述第二扩散区域在所述P衬底中形成一N阱，其中所述第一扩散区域形成一延伸的漏极区域；一漏极扩散区域，用于形成一漏极区域，所述漏极扩散区域具有N+导电性类型，其中所述漏极区域设置于所述延伸的漏极区域中；一第三扩散区域，用于形成独立地位于所述N阱的所述延伸的漏极区域中的一P阱；所述第三扩散区域具有P导电性类型；一源极扩散区域，用于形成一源极区域，所述源极扩散区域具有N+导电性类型，其中导电沟道穿过所述N阱而形成，其中所述导电沟道连接所述源极区域与所述漏极区域；一接点扩散区域，用于形成接点区域，所述接点扩散区域具有P+导电性类型；以及一第四扩散区域，用于形成一隔离P阱以防止击穿，所述第四扩散区域具有P导电性类型，其中所述隔离P阱位于所述第二扩散区域中，以便将所述源极区域和所述接点区域包围起，其中由所述第二扩散区域形成的所述N阱为所述源极区域产生一低阻抗路径，其中由所述第二扩散区域形成的所述N阱限制所述漏极区域与所述源极区域之间的晶体管电流流动。