| 发明名称 | 鳍式场效应晶体管装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种鳍式场效应晶体管装置的制造方法，包括下列步骤：提供基底，其包含第一鳍及第二鳍；形成第一材料层于该第一鳍上，其中该第一材料层包含第一种类的杂质；提供第二种类的杂质于该第二鳍上；以及对该基底进行高温工艺，该基底包含该第一材料层及该第二种类的杂质。本发明能够提供均一的掺杂分布而不产生阴影遮蔽效应，并且能够满足鳍式场效应晶体管装置的性能需求。 | ||
| 申请公布号 | CN101359622A | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200710167852.X | 申请日期 | 2007.10.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张正宏;余振华;叶震南;傅竹韵;许育荣;陈鼎元 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/22(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种鳍式场效应晶体管装置的制造方法，包括下列步骤：提供基底，其包含第一鳍及第二鳍；形成第一材料层于该第一鳍上，其中该第一材料层包含第一种类的杂质；提供第二种类的杂质于该第二鳍上；以及对该基底进行高温工艺，该基底包含该第一材料层及该第二种类的杂质。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||