| 发明名称 | 金属－绝缘－金属型电容器、存储器单元及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种金属－绝缘－金属型电容器的形成方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成第一金属层；对第一金属层进行退火，形成带有分立金属颗粒的第一金属层，作为第一电极；在分立金属颗粒及分立金属颗粒间的第一金属层上形成绝缘介质层；在绝缘介质层上形成第二金属层，作为第二电极。本发明还提供金属－绝缘－金属型电容器、存储器单元及其形成方法。本发明第一电极包括第一金属层和位于第一金属层上的分立金属颗粒，分立金属颗粒可以增大金属－绝缘－金属型电容器第一电极的表面积，即使在芯片尺寸不断缩小，金属－绝缘－金属型电容器的电容量也不会减小。 | ||
| 申请公布号 | CN101359593A | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200710044384.7 | 申请日期 | 2007.07.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 季华;季明华;三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L29/41(2006.01);H01L27/108(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种金属-绝缘-金属型电容器的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体衬底上形成第一金属层；对第一金属层进行退火，形成带有分立金属颗粒的第一金属层，作为第一电极；在分立金属颗粒及分立金属颗粒间的第一金属层上形成绝缘介质层；在绝缘介质层上形成第二金属层，作为第二电极。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||