| 发明名称 | 用于通过浸渗加固结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种加固结构的方法，以便弥补结构中的缺陷、加强该结构并因此加固电介质而并不折衷该结构的期望的低介电常数。本发明的方法包括步骤：提供具有至少一个互连结构的半导体结构；切割该互连结构；将至少一种浸渗剂应用到该互连结构；以及使该浸渗剂浸渗以浸渗到该互连结构中。 | ||
| 申请公布号 | CN101359621A | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200810145137.0 | 申请日期 | 2008.07.31 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 黄遏明;W·F·兰德斯;M·莱恩;E·G·利尼格;刘小虎;D·L·奎斯塔德;T·M·肖 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种加固结构的方法，所述方法包括：提供其中定位有至少一个互连结构的结构；对所述包括所述至少一个互连结构的结构进行切割；将至少一种渗透剂应用到所述至少一个互连结构的暴露边沿；以及将所述浸渗剂浸渗到所述至少一个互连结构中。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||