发明名称 |
用掺杂氧化物和硅异质结材料制的超快宽波段光探测器 |
摘要 |
本发明涉及利用掺杂氧化物和硅异质结材料制作的超快响应、宽频段、高灵敏度和抗辐射光探测器,包括:外壳,光传感器,第一电极,第二电极,两根电极引线,绝缘片,第一金属块,第二金属块和金属螺钉;所述的光传感器是由一个或多个串联的掺杂氧化物和硅异质结材料探测器芯片组成。光传感器被安装在一个金属外壳内,用同轴电缆接头引出输出端。该探测器为光生伏特型光电探测器,当光照射后直接产生电压信号,不需要任何辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外,可响应飞秒脉宽的激光脉冲,响应速度达到ps,可探测脉冲宽度为几百个ps的脉冲激光波形,不仅具有很高的灵敏度,并具有很强的抗辐射能力。 |
申请公布号 |
CN100458381C |
申请公布日期 |
2009.02.04 |
申请号 |
CN200510082701.5 |
申请日期 |
2005.07.06 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
吕惠宾;何萌;黄延红;赵昆;金奎娟;陈正豪;周岳亮;杨国桢 |
分类号 |
G01J1/42(2006.01);G01J9/00(2006.01);G01J11/00(2006.01) |
主分类号 |
G01J1/42(2006.01) |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
高存秀 |
主权项 |
1.一种用掺杂氧化物和硅异质结材料制的超快宽波段光探测器,包括:金属外壳,用掺杂氧化物和硅异质结材料制作的光传感器芯片(1),在所述的光传感器芯片(1)的硅衬底上制作第二电极(3),在光传感器芯片(1)的掺杂氧化物薄膜上制作第一电极(2);其特征在于:还包括第一金属块(8)和第二金属块(9),第一电极引线(4)和第二电极引线(4’)分别通过第一金属块(8)和第二金属块(9)固定在所述的光传感器芯片(1),或用铟或锡焊接或导电胶连接;所述的第一电极引线(4)和第二电极引线(4’)的一端分别与所述的第一电极(2)和所述的第二电极(3)连接,第一电极引线(4)和第二电极引线(4’)的另一端是信号输出端;所述的光传感器芯片(1)的两两相对的侧面为被探测光的入射面,该光传感器芯片(1)安装在所述的金属外壳内,用同轴电缆接头引出输出端。 |
地址 |
100080北京市海淀区中关村南三街8号 |