| 发明名称 | 一种动态受控电弧离子镀弧源 | ||
| 摘要 | 本发明涉及薄膜制备领域，具体地说是一种利用动态磁场控制弧斑运动的电弧离子镀弧源。所述动态受控电弧离子镀弧源设有动态控制磁场发生装置、靶材、靶材底座，靶材安装于靶材底座上，动态控制磁场发生装置为主控磁场发生装置和辅助磁场发生装置构成，主控磁场发生装置放置于靶材后面，和靶材同轴放置，辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置周围。本发明通过两组磁场发生装置配合使用，在靶面上形成动态分布的拱形磁场，达到改善弧斑的放电形式和工作稳定性，控制弧斑的运动轨迹，提高靶材刻蚀均匀性和靶材利用率，减少靶材大颗粒的发射，用以制备高质量的薄膜的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN101358328A | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200710159289.1 | 申请日期 | 2007.12.28 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 肖金泉;郎文昌;孙超;宫骏;杨英;赵彦辉;杜昊;闻立时 |
| 分类号 | C23C14/32(2006.01);C23C14/35(2006.01) | 主分类号 | C23C14/32(2006.01) |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人 | 张志伟 |
| 主权项 | 1、一种动态受控电弧离子镀弧源，其特征在于：所述动态受控电弧离子镀弧源设有动态控制磁场发生装置、靶材、靶材底座，靶材安装于靶材底座上，动态控制磁场发生装置为主控磁场发生装置和辅助磁场发生装置构成，主控磁场发生装置放置于靶材后面，和靶材同轴放置，辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置周围。 | ||
| 地址 | 110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||