发明名称 | 浸埋式固态碳源制备单晶金刚石的方法 | ||
摘要 | 一种浸埋式固态碳源制备单晶金刚石的方法,属于金刚石制备技术领域。采用氩气和氢气混合气体作为等离子体源气体,在混合气体中保持氩气和氢气的流量比为Ar/H<SUB>2</SUB>=2-4;氩气和氢气混合气体采用直流电弧激发方式,激发功率在10-30kW,使之受激为等离子体;沉积腔的原始真空在10<SUP>-1</SUP>Pa以下;采用无定形碳作为碳源,覆盖在钻有微孔的石墨支撑台上,无定形碳以范德华力和石墨表面相连,石墨支撑台上的微孔直径为2-8mm;基材为(100)晶面的单晶金刚石,通过钎焊固定在钼金属的基材托杆上,基材通过石墨支撑台上的微孔,浸埋在无定形碳中,在制备过程中基材温度保持在900-1100℃之间。优点在于,大量节约甲烷(CH<SUB>4</SUB>)的用量。 | ||
申请公布号 | CN100457983C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
申请号 | CN200710064728.0 | 申请日期 | 2007.03.23 |
申请人 | 北京科技大学 | 发明人 | 陈广超;李彬;吕反修 |
分类号 | C30B29/04(2006.01) | 主分类号 | C30B29/04(2006.01) |
代理机构 | 北京华谊知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘月娥 |
主权项 | 1、一种浸埋式固态碳源制备单晶金刚石的方法,其特征在于,采用氩气和氢气混合气体作为等离子体源气体,在混合气体中保持氩气和氢气的流量比为Ar/H2=2-4;氩气和氢气混合气体采用直流电弧激发方式,激发功率在10-30kW,使之受激为等离子体;沉积腔的原始真空在10-1Pa以下,等离子体点燃后,沉积腔压强在100-104Pa之间;采用无定形碳作为碳源,覆盖在钻有微孔的石墨支撑台上,无定形碳以范德华力和石墨表面相连,石墨支撑台上的微孔直径为2-8mm;基材为(100)晶面的单晶金刚石,通过钎焊固定在钼金属的基材托杆上,基材通过石墨支撑台上的微孔,浸埋在无定形碳中,在制备过程中基材温度保持在900-1100℃之间。 | ||
地址 | 100083北京市海淀区学院路30号 |