| 发明名称 | 垂直绝缘栅晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 通过提供穿过源层(8)和沟道层(6)向漏层(2)延伸的沟槽(26)，制作了垂直绝缘栅晶体管。采用隔离刻蚀以形成沿沟槽侧壁的栅部分(20)，在侧壁栅部分(20)之间的沟槽内填充电介质材料(30)，并且在沟槽顶部形成栅电连接层(30)以横跨沟槽来电连接栅部分(20)。 | ||
| 申请公布号 | CN100459155C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200380106077.7 | 申请日期 | 2003.12.08 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | J·施米茨;R·J·E·休廷格;E·A·希泽恩;A·H·蒙特里;M·A·A·恩特赞特;G·E·J·库普斯 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 1、一种制作垂直绝缘栅晶体管的方法，包括如下步骤：提供具有对立的第一和第二主表面的半导体主体；形成垂直地从第一主表面向第二主表面延伸的沟槽；在沟槽的侧壁和底部上形成栅电介质层；在沟槽的侧壁和底部上的栅电介质层上沉积导电栅材料层；进行隔离刻蚀以清除沟槽底部上的栅材料层并留下侧壁上的栅材料以形成栅单元；在侧壁之间的沟槽中填充电介质；以及横跨沟槽顶部形成栅电连接层，以横跨沟槽将栅材料层电连接。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||