| 发明名称 | 用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括：在蚀刻目标层上形成多个蚀刻掩膜图案，每个所述蚀刻掩膜图案包括在所述蚀刻目标层上堆叠的第一硬掩膜、第一垫层、以及第二垫层；在所述蚀刻掩膜图案的两个侧壁上形成间隔物，所述间隔物包括与所述第一垫层相同的材料；在所述结果衬底结构之上形成第二硬掩膜直到所述蚀刻掩膜图案之间的间隙被填充，所述第二硬掩膜包括与所述第一硬掩膜不同但与所述第二垫层相同的材料；平坦化所述第二硬掩膜直到所述第一垫层被暴露；去除所述第一垫层和所述间隔物；以及使用剩余的所述第一和第二硬掩膜作为蚀刻阻挡层来蚀刻所述蚀刻目标层。 | ||
| 申请公布号 | CN100459040C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200710000860.5 | 申请日期 | 2007.01.12 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金永俊;朴相昱 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);H01L21/033(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在蚀刻目标层上形成多个蚀刻掩膜图案，每个所述蚀刻掩膜图案包括在所述蚀刻目标层上堆叠的第一硬掩膜、第一垫层、以及第二垫层；在所述蚀刻掩膜图案的两个侧壁上形成间隔物，所述间隔物包括与所述第一垫层相同的材料；在所得结构之上形成第二硬掩膜直到所述蚀刻掩膜图案之间的间隙被填充，所述第二硬掩膜包括与所述第一硬掩膜不同但与所述第二垫层相同的材料；平坦化所述第二硬掩膜直到所述第一垫层被暴露；去除所述第一垫层和所述间隔物；以及使用剩余的所述第一和第二硬掩膜作为蚀刻阻挡层来蚀刻所述蚀刻目标层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||