变容管元件和轻度失真变容管电路布置

摘要

变容管元件(D1；D2)具有一个结区域，其中当一反向偏压被施加到该变容管元件上时，该变容管元件的耗尽电容改变。该变容管元件(D1；D2)具有指数耗尽电容－电压关系，例如，通过在该结区域中提供一预定的掺杂分布来获得。该变容管元件(D1；D2)可以用于窄音频间隔变容管叠层布置中，在该窄音频间隔变容管叠层布置中两个变容管元件(D1；D2)以反向串联构造连接。在控制节点和两个RF连接节点中的每一个之间为基带频率成分提供一个低阻抗路径，而对基波和更高次谐波频率提供一个高阻抗路径。

主权项

1.具有结区域的变容管元件，其中当反向偏压被施加到该变容管元件上时，该变容管元件的耗尽电容改变，其特征在于：该变容管元件具有指数耗尽电容-电压关系，其中该结区域包括单面结，并且该变容管元件被提供基本由N(x)＝N/xm限定的掺杂分布，N(x)是该变容管元件在一个维度上的作为x的函数的掺杂浓度，x是距所述结的距离，N是预先确定的掺杂浓度常数，m是指数因子，以及其中，该结区域包括一个位于距离小于xlow的一个间隔中的、具有一低于距离xlow处的掺杂浓度(N(xlow))的掺杂浓度Nfill的填充层。