用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法

摘要

一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以砷化镓单晶片为衬底；2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb＝1∶x∶(1-x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料为溅射靶；3)以高纯氩气为溅射气体，其气压为P_s；4)设定溅射生长时的衬底温度为T_s；5)设定溅射生长时的溅射功率为W_s；6)设定溅射生长时靶离衬底的距离为d；7)用上述的生长条件，在一台基压可小于10^-3Pa的磁控溅射仪中生长铟砷锑薄膜。

主权项

1、一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以砷化镓单晶片为衬底；2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb＝1∶x∶(1-x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料为溅射靶；3)以高纯氩气为溅射气体，其气压为Ps，Ps的取值范围是：0.1Pa＜Ps＜0.15Pa；4)设定溅射生长时的衬底温度为Ts，Ts的取值范围是：750K＜Ts＜1500K；5)设定溅射生长时的溅射功率为Ws，Ws的取值范围是：20W＜Ws＜100W；6)设定溅射生长时靶离衬底的距离为d，d的取值范围是：3cm＜d＜5cm；7)用上述的生长条件，在一台基压小于10-4Pa的磁控溅射仪中生长铟砷锑薄膜。