| 发明名称 | 半导体器件隔离结构及半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件隔离结构的制作方法，包括，提供半导体衬底；在所述衬底上依次形成垫氧化层和蚀刻阻挡层；蚀刻所述垫氧化层和蚀刻阻挡层形成开口并暴露出衬底表面；在所述开口的衬底内形成场氧化层；去除垫氧化层和蚀刻阻挡层，其中，在形成场氧化层时通入氨气。并且，本发明还公开了一种半导体器件的制作方法。本发明半导体器件隔离结构的制作方法及半导体器件的制作方法由于在形成场氧化层的时候通入氨气分解由于氧离子扩散而产生的“鸟嘴”，从而解决了局部氧化隔离产生“鸟嘴”的问题，从而改善了“鸟嘴”现象。 | ||
| 申请公布号 | CN101359615A | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200710044390.2 | 申请日期 | 2007.07.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张峻豪;杜璇 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件隔离结构的制作方法，包括，提供半导体衬底；在所述衬底上依次形成垫氧化层和蚀刻阻挡层；蚀刻所述垫氧化层和蚀刻阻挡层形成开口并暴露出衬底表面；在所述开口的衬底内形成场氧化层；去除垫氧化层和蚀刻阻挡层，其特征在于，在形成场氧化层时通入氨气。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||