高深宽比玻璃刻蚀工艺

摘要

本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C₄F₈、H₂及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000－1400W；承片台功率为300－400W；反应室压力为2－4mT；C₄F₈流量为10－20sccm/min；H₂流量为4－8sccm/min；He流量为150－200sccm/min。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。

主权项

1、一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，其特征在于，采用的工艺参数窗口为：离子源功率：1000-1400W；承片台功率：300-400W；反应室压力：2-4mT；C4F8流量：10-20sccm/min；H2流量：4-8sccm/min；He流量：150-200sccm/min。