发明名称 |
具有一小块定义电性接点区域的电阻随机存取存储结构 |
摘要 |
本发明公开了一种具有一小块定义电性接点区域的电阻随机存取存储结构。一存储单元装置,而该存储单元包含在施加能量后可在电性状态间转换的一存储材料,包含第一与第二电极、与该第二电极电性接触的一存储材料栓塞(相变化材料)、以及被一介电体支持并与该第一电极和该存储材料栓塞电性接触的一电性导电薄膜。该介电体在靠近该第一电极处较宽,而在靠近该相变化栓塞处较窄。该导电薄膜与该相变化栓塞接触的区域,某种程度上是由在该导电薄膜上形成的介电体的几何区域所定义。同时,本发明包含用以制造本装置的方法,包含在一第一电极上建构一介电体,及在该介电体上一形成导电薄膜的步骤。 |
申请公布号 |
CN101359717A |
申请公布日期 |
2009.02.04 |
申请号 |
CN200810131159.1 |
申请日期 |
2008.07.30 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
赖二琨;何家骅;谢光宇 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01);G11C16/02(2006.01);G11C11/56(2006.01) |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1、一种存储单元装置,其特征在于,包含第一及第二电极、与该第二电极电性接触的一存储材料栓塞、以及一电性导电薄膜,该电性导电薄膜被一介电体所支持,并与该第一电极及该存储材料栓塞电性接触。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |