| 发明名称 | 高亮度氮化物微发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高亮度的氮化物微发光二极管(LED)及其制造方法。本发明提供了一种高亮度氮化物微LED及其制造方法，其中多个微米级发光柱10在基质上形成，诸如SiO<SUB>2</SUB>、Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>、DBR(ZrO<SUB>2</SUB>/SiO<SUB>2</SUB> HfO<SUB>2</SUB>/SiO<SUB>2</SUB>)、聚酰胺或类似物的间隙填充材料被填充在微米级发光柱之间的间隙中，发光柱阵列和间隙填充材料的顶部表面11通过CMP过程被平坦化，然后在其上形成具有大面积的透明电极6，以便能同时驱动所有的发光柱。此外，本发明提供了一种高亮度氮化物微LED，其中在微米级发光柱阵列上的电极形成的均匀度通过采用倒装芯片结构而被提高。 | ||
| 申请公布号 | CN100459180C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN03826889.2 | 申请日期 | 2003.08.08 |
| 申请人 | 哈和技术有限公司 | 发明人 | 姜尚魁 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/30(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王昭林;崔华 |
| 主权项 | 1.一种高亮度氮化物微LED，包括：多个微米级发光柱(10)，该微米级发光柱(10)具有在基质(1)上形成的n型GaN层(2)、在该n型GaN层(2)上形成的活性层3，以及在该活性层(3)上形成的p型GaN层(4)；填充在发光柱(10)之间的、至具有与发光柱(10)相同高度的间隙填充材料(5)；在间隙填充材料(5)和发光柱(10)的顶部表面(11)上形成的p型透明电极(6)；在该p型透明电极(6)上形成的p型电极(7)；以及与该n型GaN层(2)电连接的n型电极(8)，其中发光柱组成的阵列被同时驱动；且该间隙填充材料(5)通过CMP过程形成至具有和发光柱(10)相同的高度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||