发明名称 |
集成电路封装及其形成方法、晶圆级集成电路封装结构 |
摘要 |
本发明公开了一种晶圆级集成电路封装的方法、集成电路封装及晶圆级集成电路封装结构。其中集成电路封装包括集成电路芯片、集成电路芯片表面的绝缘层、多个路径、多个路由互连及多个突点互连。所述集成电路封装具有多个在集成电路芯片表面配置成阵列的接线端。多个路径穿过所述绝缘层与所述多个接线端相连。多个路由互连中的每一个具有第一部分和第二部分。每个路由互连的第一部分经由对应的路径与多个接线端中对应的一个接线端相连,每个路由互连的第二部分在所述绝缘层上延伸。多个突点互连中的每一个突点互连与多个路由互连中对应的一个路由互连的第二部分相连。 |
申请公布号 |
CN101359608A |
申请公布日期 |
2009.02.04 |
申请号 |
CN200810088726.X |
申请日期 |
2008.04.30 |
申请人 |
美国博通公司 |
发明人 |
马太·V·考夫曼;特克·扬·坦 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01);H01L23/485(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01) |
代理机构 |
深圳市顺天达专利商标代理有限公司 |
代理人 |
蔡晓红 |
主权项 |
1、一种形成集成电路封装的方法,其特征在于,包括:接收具有多个集成电路区域的晶圆,每个集成电路区域都具有在晶圆的表面配置成阵列的多个接线端;在晶圆上形成绝缘层;穿过绝缘层形成多个路径,以实现到达每个集成电路区域的多个接线端的连通;在绝缘层上形成多个路由互连,使得多个路由互连中的每一个路由互连具有经由穿过绝缘层的对应路径与对应的接线端相连的第一部分,以及在绝缘层上延伸的第二部分;在多个路由互连上形成多个突点互连,使得每一个突点互连被连接至多个路由互连中对应的路由互连的第二部分。 |
地址 |
美国加州尔湾市奥尔顿公园路16215号92618-7013 |