制造及使用卤化矽烷基锗烷之新颖方法

摘要

本发明提供分子式Si#sB!x#eB!Ge#sB!y#eB!H#sB!z-a#eB!X#sB!a#eB!之化合物及制备该等化合物之方法，其中X为卤素且x、y、z及a如本文中定义，及使用本发明之化合物使高Ge含量Si膜沈积于矽基板上之方法。