发明名称 | 于晶边区形成覆盖层的方法 | ||
摘要 | 一种于晶边区形成覆盖层的方法,此方法是先提供具有晶边区与中心区的基底。然后,提供上隔离物与下隔离物,其中上隔离物位于基底之上表面上,并至少覆盖中心区,而下隔离物位于基底之下表面上,并至少覆盖中心区。接着,于未被上隔离物覆盖的基底之上表面上以及未被下隔离物覆盖的基底之下表面上形成覆盖层。之后,移除上隔离物与下隔离物。 | ||
申请公布号 | TW200905746 | 申请公布日期 | 2009.02.01 |
申请号 | TW096126126 | 申请日期 | 2007.07.18 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 王文杰;黄志涛;徐薇惠;黄则尧 |
分类号 | H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |