ＭＬＣ记忆体之程式化方法

摘要

一种MLC记忆体之程式化方法，MLC记忆体包括复数个位元，每一位元具有复数个程式化状态，每一程式化状态具有一程式化验证(PV)值。本方法包括(a)使用位元线偏压BL来程式化记忆体中具有临界电压(Vt)值小于一预定程式化状态之PV值之位元；(b)当记忆体中所有位元之Vt值皆不低于预定程式化状态之PV值时，结束本方法，否则继续步骤(c)；以及(c)当所有程式化位元之Vt值皆低于PV值时，则设定BL=BL+K1并重复步骤(a)，而当至少一程式化位元之Vt值不低于PV值时，则设定BL=BL-K2并重复步骤(a)其中K1及K2为固定之正值。