化学机械研磨之研磨垫及其方法

摘要

一种化学机械研磨半导体装置两相邻结构的方法。化学机械研磨之方法包括：(a)提供半导体装置，系包含凹穴形成于半导体装置之表面，第一材料层形成于表面之上，且第二材料层形成于第一材料层上并填满凹穴；(b)以研磨垫及实质上无抑制材料之研磨液实质地研磨第一及第二材料层，且研磨垫包含第二材料层之腐蚀抑制材料。