发明名称 一种形成浅沟渠隔离的方法
摘要 一种形成浅沟渠隔离的方法,首先提供一基材,其包含一沟渠,在沟渠中依序形成有第一内衬层与第二内衬层,且以第一氧化物填满沟渠。其次,进行第一湿蚀刻,以移除部分第一氧化物与部分第一内衬层以暴露出基材。之后,进行第二湿蚀刻,以移除部分第二内衬层,使得第二内衬层低于基材表面。再来,进行第三湿蚀刻,以移除部分第一氧化物与部分第一内衬层。接着,使用第二氧化物填满沟渠以形成浅沟渠隔离。
申请公布号 TW200905795 申请公布日期 2009.02.01
申请号 TW096126909 申请日期 2007.07.24
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 廖建茂;施信益
分类号 H01L21/762(2006.01) 主分类号 H01L21/762(2006.01)
代理机构 代理人 许锺迪
主权项
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号