发明名称 | 一种形成浅沟渠隔离的方法 | ||
摘要 | 一种形成浅沟渠隔离的方法,首先提供一基材,其包含一沟渠,在沟渠中依序形成有第一内衬层与第二内衬层,且以第一氧化物填满沟渠。其次,进行第一湿蚀刻,以移除部分第一氧化物与部分第一内衬层以暴露出基材。之后,进行第二湿蚀刻,以移除部分第二内衬层,使得第二内衬层低于基材表面。再来,进行第三湿蚀刻,以移除部分第一氧化物与部分第一内衬层。接着,使用第二氧化物填满沟渠以形成浅沟渠隔离。 | ||
申请公布号 | TW200905795 | 申请公布日期 | 2009.02.01 |
申请号 | TW096126909 | 申请日期 | 2007.07.24 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 廖建茂;施信益 |
分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |