| 摘要 |
一种多晶矽薄膜太阳电池之制备方法，系以一三氧化二铝陶瓷基板及一兼具多晶矽薄膜种子层功能之钛基金属化合物薄膜，分别作为多晶矽薄膜太阳电池元件之基板及背电极。在高温制程与常压式化学气相沉积设备方法下，依序披覆而构成一多晶矽薄膜层结构。并由该多晶矽薄膜层结构进行矽碳氮氧氩（SiCNO:Ar）电浆钝化处理以形成一碳氮化矽/二氧化矽（SiCN/SiO#sB!2#eB!）抗反射层后，于该钛基金属化合物薄膜上制作一p-型欧姆接触（Ohmic contact），接着再于该多晶矽薄膜层结构之n#sP!+#eP!型多晶矽薄膜发射层上制作一n-型欧姆接触。藉此，使本发明除了具有高磊晶成长率、高结晶品质、高光电转换效率及良好之照光稳定性外，亦能有效降低设备建立之成本及简化制程。 |
