发明名称 | 静电放电保护电路 | ||
摘要 | 一种静电放电保护电路,其包括第一LDNMOS电晶体、第二LDNMOS电晶体、第一电阻及闸极驱动电阻。第一LDNMOS电晶体的汲极作为静电输入端,而P型基体与源极相接,且第一LDNMOS电晶体依据耦合电压讯号决定是否导通。第二LDNMOS电晶体的汲极连接第一LDNMOS电晶体的汲极,且其P型基体连接第一LDNMOS电晶体的源极,而其闸极连接共同接地电位。第一电阻之其中一端连接第一LDNMOS电晶体的源极,而另一端连接共同接地电位。闸极驱动电阻之其中一端连接共同接地电位,而另一端则连接第二LDNMOS电晶体的源极,以产生耦合电压讯号,并将上述之耦合电压讯号耦合到第一LDNMOS电晶体的闸极。 | ||
申请公布号 | TW200905845 | 申请公布日期 | 2009.02.01 |
申请号 | TW096127757 | 申请日期 | 2007.07.30 |
申请人 | 联阳半导体股份有限公司 | 发明人 | 庄逸程 |
分类号 | H01L23/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/60(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区创新一路13号3楼 |