发明名称 静电放电保护电路
摘要 一种静电放电保护电路,其包括第一LDNMOS电晶体、第二LDNMOS电晶体、第一电阻及闸极驱动电阻。第一LDNMOS电晶体的汲极作为静电输入端,而P型基体与源极相接,且第一LDNMOS电晶体依据耦合电压讯号决定是否导通。第二LDNMOS电晶体的汲极连接第一LDNMOS电晶体的汲极,且其P型基体连接第一LDNMOS电晶体的源极,而其闸极连接共同接地电位。第一电阻之其中一端连接第一LDNMOS电晶体的源极,而另一端连接共同接地电位。闸极驱动电阻之其中一端连接共同接地电位,而另一端则连接第二LDNMOS电晶体的源极,以产生耦合电压讯号,并将上述之耦合电压讯号耦合到第一LDNMOS电晶体的闸极。
申请公布号 TW200905845 申请公布日期 2009.02.01
申请号 TW096127757 申请日期 2007.07.30
申请人 联阳半导体股份有限公司 发明人 庄逸程
分类号 H01L23/60(2006.01) 主分类号 H01L23/60(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
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