再溅镀之铜晶种层

摘要

本发明公开了一种整合的铜沉积方法，特别适用于在电化学镀铜之前，在狭窄的通孔部件中形成铜晶种层，该方法包括至少一回圈之铜溅射沉积（160）和其后对已沉积铜的溅射蚀刻（162）步骤，较佳是在相同的溅射腔室中执行。这种沉积是在促进较高的游离铜部分和较强的晶圆偏压，从而将铜离子拉进通孔部件中。该蚀刻可应用氩离子完成，较佳是通过腔室四周的RF线圈电感激发，或通过形成于高靶电力以及强磁电管或通过应用RF线圈产生的铜离子完成。可执行两次或更多的沉积/蚀刻回圈。在高铜离子化和低晶圆偏压的条件下可执行最终的闪沉积（168）。