具有网印局部后部表面场的高品质后部接触之形成

摘要

一种薄矽太阳能电池，其具有局部后部表面场的一后部介电钝化及后面接触。明确而言，该太阳能电池可由一结晶矽晶圆所制成，该结晶矽晶圆具有一从50至500微米之厚度。一阻障层与一介电层系至少施加至该矽晶圆之后部表面以在形成该后面接触时保护该矽晶圆不变形。至少一开口系制作至该介电层。一铝接触系形成于该开口内及在该介电层上，该铝接触提供一后部表面场。可藉由网印具有从1至12原子百分比矽的一铝膏并接着在750摄氏度下应用一热处理来施加该铝接触。