金氧半导体元件

摘要

一种金氧半导体元件，包含有一具有第一导电型式之半导体基底、一源极区域、一闸极结构以及一具有第二导电型式之汲极区域。闸极结构本质上平行于一第一方向而设置于半导体基底上。汲极区域与源极区域皆设置于半导体基底中，分别位于闸极结构之相对二侧。源极区域包含有至少一具有第二导电型式之源极掺杂区与至少一具有第一导电型式之源极接触区，且源极接触区与源极掺杂区系沿着第一方向而交替排列。