| 摘要 |
提供一种适用于使用ArF准分子雷射之曝光方法的光罩基底及光罩。此光罩基底乃是在200nm以下之曝光光波长下供给之素材，且在透明基板上具备遮光性膜。前述遮光性膜包括：遮光膜、表面反射防止膜、背面反射防止膜。前述遮光膜系包含作为主成分的矽及过渡金属，其中，膜之曲折率n#sB!1#eB!为1.0～1.7、膜之消衰系数k#sB!1#eB!为2.5～3.5、膜厚t#sB!1#eB!为20～50nm；前述表面反射防止膜系连接于前述遮光膜之上而形成；前述背面反射防止膜系连接于前述遮光膜之下而形成，包含矽、过渡金属、氧及氮，其中，膜之屈折率n#sB!2#eB!为1.0～3.5、膜之消衰系数k#sB!2#eB!为2.5以下、膜厚t#sB!2#eB!为5～40nm。此光罩基底之特征在于：满足n#sB!1#eB!＜n#sB!2#eB!或是k#sB!1#eB!＞k#sB!2#eB!之关系、且t#sB!1#eB!＞t#sB!2#eB!之关系，遮光性膜全体之膜厚在62nm以下。 |
