发明名称 高密度奈米碳管阵列及其制备方法
摘要 本发明涉及一种高密度奈米碳管阵列,该高密度奈米碳管阵列中的奈米碳管定向且紧密地排列,具有类一维单晶结构,密度为0.1~2.2g/cm#sP!3#eP!。本发明还涉及一种制备高密度奈米碳管阵列的方法,包括以下步骤:提供一奈米碳管阵列形成于一基底;沿着平行于基底的方向,施加压力挤压上述奈米碳管阵列,从而得到高密度奈米碳管阵列,该制备方法工序简单,易于实际应用、效率较高且制备的奈米碳管阵列的密度可以控制。
申请公布号 TW200905007 申请公布日期 2009.02.01
申请号 TW096126546 申请日期 2007.07.20
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 罗春香;张晓波;姜开利;刘亮;范守善
分类号 C23C16/26(2006.01);B82B3/00(2006.01) 主分类号 C23C16/26(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
地址 台北县土城市自由街2号