半导体元件之主动区域的隔离方法

摘要

一种半导体元件之主动区域的隔离方法，系于基材形成主动区域的隔离区域，基材为p型矽基材。基材上形成氧化层。氧化层上形成图案化牺牲层以及上方遮罩层，其中上方遮罩层位于该基材隔离区域的上方。并使图案化牺牲层以及上方遮罩层之间形成一间隙后，即可进行一离子植入程序，透过该间隙于基材植入n型离子以形成n型屏障层。接着实施一阳极处理以将n型屏障层间的基材转换成多孔矽，最后进行一氧化制程以将多孔矽氧化成二氧化矽隔离区。