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经营范围
发明名称
半导体制造装置、半导体制造方法及电子器材
摘要
藉由让反应基比其他官能团更容易被切断的反应气体,来处理制造标的为半导体晶圆的装置及方法;典型的做法为,将反应气体本身,制作为具有OC#sB!2#eB!H#sB!5#eB!基或OCH#sB!3#eB!基等之矽氧烷气体之反应气体,经由和脱离C#sB!2#eB!H#sB!5#eB!基等后留下来的氧(O)的相互结合、或经由与C#sB!2#eB!H#sB!5#eB!基与OC#sB!2#eB!H#sB!5#eB!基或OCH#sB!3#eB!基的反应,来形成低介电率膜或绝缘物阻隔膜。
申请公布号
TW200905733
申请公布日期
2009.02.01
申请号
TW097128703
申请日期
2008.07.29
申请人
奈米材料研究所股份有限公司
发明人
谷喜美
分类号
H01L21/205(2006.01);H01L21/02(2006.01)
主分类号
H01L21/205(2006.01)
代理机构
代理人
李国光;张仲谦
主权项
地址
日本
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