发明名称 半导体制造装置、半导体制造方法及电子器材
摘要 藉由让反应基比其他官能团更容易被切断的反应气体,来处理制造标的为半导体晶圆的装置及方法;典型的做法为,将反应气体本身,制作为具有OC#sB!2#eB!H#sB!5#eB!基或OCH#sB!3#eB!基等之矽氧烷气体之反应气体,经由和脱离C#sB!2#eB!H#sB!5#eB!基等后留下来的氧(O)的相互结合、或经由与C#sB!2#eB!H#sB!5#eB!基与OC#sB!2#eB!H#sB!5#eB!基或OCH#sB!3#eB!基的反应,来形成低介电率膜或绝缘物阻隔膜。
申请公布号 TW200905733 申请公布日期 2009.02.01
申请号 TW097128703 申请日期 2008.07.29
申请人 奈米材料研究所股份有限公司 发明人 谷喜美
分类号 H01L21/205(2006.01);H01L21/02(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 代理人 李国光;张仲谦
主权项
地址 日本