| 摘要 |
本发明公开了一种多晶片封装结构中的直流－直流降压变换器，包括一输出电感器，一低压侧的肖特基二极体及一由功率调节控制器（PRC）控制的高压侧垂直MOSFET。该多晶片封装结构包括一第一晶片基座，及并排设置于其上的肖特基二极体和垂直MOSFET。PRC晶片通过绝缘晶片结合材料附贴在第一晶片基座上；也可以选择将第一晶片基座接地，垂直MOSFET是一顶部漏极的N沟道场效应电晶体，肖特基二极体晶片的衬底为其阳极，肖特基二极体和垂直MOSFET迭在第一晶片基座之上。PRC通过导电晶片结合材料附贴在第一晶片基座之上。肖特基二极体以其阴极作为衬底，以倒装结构设置。也可以选择将肖特基二极体的阳极作为衬底，则无需以倒装结构设置。本发明的优点是具有高效的封装结构。 |
