| 摘要 |
本发明系关于一种半导体装置及其制造方法。这种半导体装置系包含有：闸极型样，系形成于半导体基板上；第一搀杂区，系形成于半导体基板中闸极型样之一侧，以及第二搀杂区系形成于半导体基板中闸极型样之另一侧；自我对准矽化物遮蔽膜型样，系部分地覆盖于第一搀杂区或第二搀杂区上；绝缘膜，系形成于半导体基板上，其中此绝缘膜系包含：第一孔，系用于曝露出自我对准矽化物遮蔽膜型样；以及第二孔，系用于部分地曝露出未被自我对准矽化物遮蔽膜型样覆盖之第一搀杂区域或第二搀杂区；以及第一导线，系用于穿过此第一孔连接于自我对准矽化物遮蔽膜型样。 |
