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发明名称
制作氮化镓系基板的方法
摘要
本发明提供制作氮化镓系基板的方法,先以准备步骤准备一块磊晶成长氮化镓系材料的磊晶基板,接着以凸块形成步骤自磊晶基板向上形成复数呈现间隔散布且主要由氮化镓系材料构成的凸块,再以横向磊晶步骤自凸块端部横向磊晶成长形成一层基础层,然后以增厚步骤累积增厚基础层至不小于500μm而成该氮化镓系基板,最后以温度变化步骤,自实施增厚步骤之温度范围降温而使该氮化镓系基板与磊晶基板释出热应力进而破坏该复数凸块的墩部,进而直接分离磊晶基板与氮化镓系基板,得到厚度在500μm以上的氮化镓系基板。
申请公布号
TW200905024
申请公布日期
2009.02.01
申请号
TW096125824
申请日期
2007.07.16
申请人
新世纪光电股份有限公司
发明人
陈政权
分类号
C30B29/38(2006.01);C30B25/18(2006.01)
主分类号
C30B29/38(2006.01)
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
台南县善化镇台南科学工业园区大利三路5号
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