发明名称 提高反及闸快闪记忆体(NAND Flash)的存取装置与方法
摘要 本发明揭露一种提高反及闸快闪记忆体(NAND Flash)的存取装置与方法。本发明提供在写入反及闸快闪记忆体时,将未满一个资料页的资料暂存于镜射资料区中,以减少反及闸快闪记忆体内区块资料重复拷贝-备份和抹除,可延长反及闸快闪记忆体的寿命。此存取装置包含至少一个反及闸快闪记忆体、以及一镜射资料区。主控端将反及闸快闪记忆体的区块内的不满一个资料页的资料,暂存于镜射资料区中,当欲写入新资料至反及闸快闪记忆体时,其新资料的位址系接续于前一笔资料的连续线性位址时,则将新资料接续写入镜射资料区内,当镜射资料区内写满一个资料页的资料后,再写回区块内的资料页中。
申请公布号 TW200905469 申请公布日期 2009.02.01
申请号 TW096127989 申请日期 2007.07.31
申请人 奇岩电子股份有限公司 发明人 陈桮棬;詹立翔;陈建文
分类号 G06F12/00(2006.01);G11C16/06(2006.01) 主分类号 G06F12/00(2006.01)
代理机构 代理人 洪尧顺
主权项
地址 新竹市东光路192号8楼之1