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发明名称 Verfahren zum Herstellen von legierten Halbleiterdioden, insbesondere von Tunneldioden, und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens
摘要
申请公布号 DE1158636(B) 申请公布日期 1963.12.05
申请号 DE1960T018890 申请日期 1960.08.24
申请人 TELEFUNKEN PATENTVERWERTUNGSGESELLSCHAFT M.B.H. 发明人 MEYER HANS
分类号 H01L21/3063;H01L29/00 主分类号 H01L21/3063
代理机构 代理人
主权项
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