| 发明名称 |
Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| 摘要 |
<p>Ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements werden offenbart. Ein Halbleiterkörper, ein Floating-Gate-Poly und ein Source-/Draingebiet werden bereitgestellt. Ein Metallzwischenverbindungsgebiet mit einem Steuergateknoten wird bereitgestellt, der kapazitiv an das Floating-Gate-Poly koppelt.</p> |
| 申请公布号 |
DE102008002651(A1) |
申请公布日期 |
2009.01.22 |
| 申请号 |
DE20081002651 |
申请日期 |
2008.06.25 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
ANDERSEN, ERNST-OTTO;GRATZ, ACHIM;TEMPEL, GEORG |
| 分类号 |
H01L27/115;H01L21/8247 |
主分类号 |
H01L27/115 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
