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Eine Emitterschicht (6a-6c) ist in einer Richtung orthogonal zu einem mit einer Gate-Elektrode (G) verbundenen wirksamen Gate-Grabengebiet (1) und zu einem von der Gate-Elektrode isolierten Leergrabengebiet (2a, 2b) in Streifen vorgesehen. Eine Breite (W) der Emitterschicht ist so bestimmt, dass sie eine vorgegebene Beziehung erfüllt, um in einer darunterliegenden P-Basisschicht (7) kein Latch-up zu verursachen. In der vorgegebenen Beziehung ist ein oberer Grenzwert der Breite W der Emitterschicht (3500/Rspb) . Wso . exp (Dezimierungsverhältnis), wobei Rspb ein Flächenwiderstand der P-Basisschicht direkt unter der Emitterschicht ist, Wso ein Abstand zwischen den Gräben ist und das Dezimierungsverhältnis ein Verhältnis der Anzahl der wirksamen Gate-Grabengebiete zur Gesamtzahl der Grabengebiete ist. Änderungen des Sättigungsstroms in einem Graben-IGBT können unterdrückt werden und eine Toleranz eines sperrspannungssicheren Betriebsbereichs (RBSOA) kann verbessert werden.
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