发明名称 Halbleitersubstrat und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
摘要 Ein Halbleitersubstrat zum Herstellen eines Halbleiterbauelements besitzt einen Grundkörper (31) aus einem ersten Halbleitermaterial, das eine erste Gittercharakteristik aufweist, und eine Membran (32), die einstückig mit dem Grundkörper verbunden ist und relativ zu dem Grundkörper (31) beweglich gelagert ist. Die Membran (32) bildet eine Oberfläche, auf der eine Schicht (38) aus einem zweiten Halbleitermaterial mit einer zweiten Gittercharakteristik angeordnet ist. Die zweite Gittercharakteristik ist verschieden von der ersten Gittercharakteristik. Gemäß einem Aspekt der Erfindung weist die Membran (32) einen zentralen Membranbereich (34) auf, der von unten durch den Grundkörper (10) abgestützt ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements unter Verwendung eines solchen Halbleitersubstrates.
申请公布号 DE102007034701(A1) 申请公布日期 2009.01.22
申请号 DE200710034701 申请日期 2007.07.16
申请人 INSTITUT FUER MIKROELEKTRONIK STUTTGART 发明人 BURGHARTZ, JOACHIM N.
分类号 B81C1/00;B81B3/00;B81B7/02;H01L21/50;H01L21/58 主分类号 B81C1/00
代理机构 代理人
主权项
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