| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung weist auf: eine erste Halbleiterschicht (11), einen p-n-Säulenabschnitt (19), der über der ersten Halbleiterschicht (11) angeordnet ist und zweite und dritte Halbleiterschichten (17) aufweist, die abwechselnd angeordnet sind; und einen Umfangsabschnitt (25), der benachbart zum p-n-Säulenabschnitt (19) angeordnet ist und eine vierte Halbleiterschicht (21) aufweist. Eine äußerste zweite Halbleiterschicht (15a) weist einen Dotierungsbetrag auf, der größer oder gleich dem halben Dotierungsbetrag von jeder der anderen zweiten Halbleiterschichten (15) ist. Die dritten Halbleiterschichten (17) weisen einen Abschnitt (17a, 17b) hohen Dotierungsbetrages auf, der benachbart zur äußersten zweiten Halbleiterschicht (15a) angeordnet ist. Der Abschnitt (17a, 17b) hohen Dotierungsbetrages weist wenigstens eine dritte Halbleiterschicht (17) auf, die einen höheren Dotierungsbetrag als die anderen dritten Halbleiterschichten (17) aufweist.
|
