| 发明名称 | 一种减小阈值电压标准方差的方法 | ||
| 摘要 | 一种减小阈值电压标准方差的方法，包括如下步骤：步骤1，MOS器件制程；步骤2，高温热退火；步骤3，电容介质层第一层氧化膜沉积。本发明有效地减小了包含PIP电容器件的高压MOS器件阈值电压标准方差，提高了产品性能，节约了人力资源和物质资源。 | ||
| 申请公布号 | CN101350306A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200710044057.1 | 申请日期 | 2007.07.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 杨林;周宁 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1.一种减小阈值电压标准方差的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1，MOS器件制程；步骤2，高温热退火；步骤3，电容介质层第一层氧化膜沉积。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||