| 发明名称 | 精确结构POSS杂化低介电材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种精确结构POSS杂化低介电材料的制备方法，该法以包含活性基团的POSS单体与可发生点击化学反应的双功能团有机小分子为精确结构杂化低介电材料制备的前驱体，利用环境友好的点击化学合成方法，把精确结构的POSS分子和有机小分子有序地连接到低介电材料结构中，通过改变连接POSS的有机分子链的组成、结构和性能，实现对精确结构杂化低介电材料结构、孔隙率、热性能、力学性能及介电常数的调控。 | ||
| 申请公布号 | CN101348568A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200810041996.5 | 申请日期 | 2008.08.22 |
| 申请人 | 东华大学 | 发明人 | 徐洪耀;张超;光善仪 |
| 分类号 | C08G77/38(2006.01);H01B3/46(2006.01) | 主分类号 | C08G77/38(2006.01) |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人 | 黄志达;谢文凯 |
| 主权项 | 1.一种精确结构POSS杂化低介电材料的制备方法，包括步骤：在溶液体系中，且在必要的引发剂或催化剂存在下，POSS与双功能团有机前躯体在光照或20～60℃加热条件下反应0.5～10h，生成精确结构POSS杂化低介电材料，其中POSS中的SiO2与双功能团有机前躯体的质量之比是5～80∶90～20。 | ||
| 地址 | 201620上海市松江区松江新城区人民北路2999号 | ||