半导体元件及其制造方法与记忆体元件及其操作方法

摘要

本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法与记忆体元件及其操作方法，该半导体元件包括一具有第一传导性型的一半导体基板。此半导体基板包括第一扩散区域、第二扩散区域以及沟道区域。其中第一扩散区域具有第一传导性型，而第二扩散区域具有第一传导性型，以及沟道区域其位于第一扩散区域和第二扩散区域之间。此半导体元件还包括控制栅极以及至少一次栅极(sub-gate)，控制栅极位于沟道区域的上面，而至少一次栅极位于第一和第二扩散区域的上面。

主权项

1、一种半导体元件，其特征在于其包括：一半导体基板，具有一第一传导性型，该半导体基板包括：一第一扩散区域，具有该第一传导性型；一第二扩散区域，具有该第一传导性型；及一沟道区域，其位于该第一扩散区域和该第二扩散区域之间；一第一绝缘层，位于该沟道区域的上面；一捕陷层，在该第一绝缘层的上面；一第二绝缘层，在该捕陷层的上面，一控制栅极，其位于该第二绝缘层的上面；以及至少一次栅极，其位于该第一和第二扩散区域的上面，其中，当该次栅极被施加一电压时，该第一扩散区域具有一第一反型区域，该第一反型区域具有一第二传导性型，该第二扩散区域具有一第二反型区域，该第二反型区域具有该第二传导性型。