发明名称 一种采用包埋渗硅工艺制备高硅电工钢片的方法
摘要 本发明公开了一种采用包埋渗硅工艺制备高硅电工钢片的方法,该方法将含硅量为0.3~1.0wt%的低硅钢片包埋在渗硅剂中,通过控制化学热处理的工艺参数,从而获得具有低损耗、低磁滞伸缩系数、低矫顽力的含硅量为6.5%左右的高硅电工钢片。其工艺步骤有:首先将配制好的部分渗硅剂铺于坩埚底部,然后将经表面处理后的低硅钢片放入坩埚中,并在其四周填满余量的渗硅剂,充入氩气,调节升温速率17~20℃/min并加热至1000~1250℃后保温,然后再在升温速率6~8℃/min,炉内温度1150~1350℃保温1.5~4.5小时后进行热扩散处理。
申请公布号 CN100453689C 申请公布日期 2009.01.21
申请号 CN200610001793.4 申请日期 2006.01.26
申请人 北京航空航天大学 发明人 毕晓昉;卢凤双
分类号 C23C10/46(2006.01) 主分类号 C23C10/46(2006.01)
代理机构 北京永创新实专利事务所 代理人 赵文利
主权项 1、一种采用包埋渗硅工艺制备高硅电工钢片的方法,其特征在于有如下步骤:第一步,配制渗硅剂渗硅剂由3~4wt%的氟化钠、10~12wt%的硅粉和84~86wt%的氧化铝组成,并将制得的渗硅剂放入100℃烘箱中保存0.5~1小时,待用;第二步,原材料的预处理选取硅含量为0.3~1.0%的低硅钢片,并对低硅钢片经打磨后放入酒精中保存0.1~1小时后取出,用冷风吹干,待用;第三步,热化学包埋处理将第一步中配制的渗硅剂按总重量的5~15%放入坩埚底部,然后将第二步中处理后的低硅钢片放入坩埚中间部位,并在其四周填满余量的渗硅剂,盖上坩埚盖子并加固后,将其置入热处理炉内;充入保护气体——氩气10~30分钟;调节热处理炉的升温速率17~20℃/min,加热炉内温度至1000~1250℃后保温1.5~4.5小时;空冷至室温取出,用超声波清洗0.2~1小时后,冷风吹干,即制得在低硅钢片截面方向上硅元素呈浓度梯度变化的高硅电工钢片;将上述硅元素呈梯度变化的高硅电工钢片放入热处理炉的玻璃管内,并抽真空度至2×10-5Pa;调节热处理炉的升温速率6~8℃/min,加热炉内温度至1150~1350℃后保温1.5~4.5小时;空冷至室温取出,即制得含硅量为5.1~6.95%的高硅电工钢片。
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