半导体器件及其制造方法

摘要

在沟栅极型MISFET中，通过用于形成第一高浓度P型源区(6)的第一注入，注入杂质，达到深处，通过用于形成第二高浓度P型源区(8)的第二注入，提高半导体区(14)的上表面附近的杂质浓度。据此，能可靠地使栅极(5)和第一高浓度P型源区(6)重叠，能避免栅源之间的偏移量。此外，在与源极电极模(12)电连接的硅化物模(10)、第二高浓度P型源区(8)之间能形成良好的欧姆接合，所以能使源极接触低电阻化。通过两个相乘的效果，能形成低电阻的半导体器件。在沟栅极型MISFET中，通过在源极和源区之间形成良好的欧姆接合，使源极接触低电阻化。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于：包括：半导体区；设置在半导体区的下部的第一导电类型的漏区；设置在所述半导体区中的所述漏区上的第二导电类型的体区；设置在所述半导体区中的所述体区上的第一导电类型的第一源区；设置在所述半导体区中的所述第一源区上，到达所述半导体区的上表面的第一导电类型的第二源区；设置在所述半导体中，到达所述漏区的沟；设置在所述沟内的至少侧面上的栅绝缘膜；设置在所述沟内的栅绝缘膜上的栅极；以及在所述沟内覆盖所述栅极的绝缘膜，所述第一源区与所述第二源区的浓度峰值位置处于不同的深度。