一种TFT矩阵结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种TFT矩阵结构，其中包括：一基板；一栅线和与其一体的栅电极，栅线和栅电极的上方依次覆盖有第一层绝缘层、半导体层、欧姆接触层；一薄膜晶体管沟道；一第二层绝缘层，形成在欧姆接触层上，露出薄膜晶体管沟道及部分欧姆接触层；一数据线及与其一体的源电极，直接搭接到欧姆接触层上；一漏电极，直接搭接到欧姆接触层上；一钝化层，形成在数据线、源电极及漏电极的上方；一像素电极，形成在所述第二绝缘层上，并与漏电极部分搭接；一凹槽，形成在数据线之间的栅线上，截断栅线上方的欧姆接触层。本发明同时公开了该矩阵结构的制造方法。本发明的矩阵结构及其制造方法缩短了TFT矩阵的生产周期，降低了其生产成本。

主权项

1、一种TFT矩阵结构，其特征在于，包括：一基板；一栅线和与其一体的栅电极，形成在所述基板上，栅线和栅电极的上方依次覆盖有第一层绝缘层、半导体层、欧姆接触层；一薄膜晶体管沟道形成在所述栅电极上的欧姆接触层之间；一第二层绝缘层，形成在所述欧姆接触层上，并在所述薄膜晶体管沟道及两侧位置露出薄膜晶体管沟道及部分欧姆接触层；一数据线及与其一体的源电极，形成在所述第二层绝缘层的上方，且源电极直接搭接到所述薄膜晶体管沟道一侧的欧姆接触层上；一漏电极，形成在所述第二层绝缘层的上方，且漏电极直接搭接到所述薄膜晶体管沟道另一侧的欧姆接触层上；一钝化层，形成在所述数据线、源电极及漏电极的上方；一像素电极，形成在所述第二绝缘层上，并与所述漏电极部分搭接；一凹槽，形成在所述数据线之间的栅线上，所述凹槽截断栅线上方的欧姆接触层并露出第一层绝缘层，所述凹槽露出第一绝缘层的上方覆盖一层像素电极材料层。