发明名称 频率传感器和半导体装置
摘要 作为针对使LSI在容许范围外的频率上动作的对抗手段,有产生基准时钟并通过对其进行计数而进行检测的频率传感器。但是,在该方法中,有会造成消耗电力和电路规模增大的问题。因此,在本发明的频率传感器中,设置电阻元件(13)和电容(14),通过根据对电容(14)的充放电时间检测频率,而能够实现消耗电流和电路规模小的频率传感器。通过由多个电阻和电容构成,并将它们分别与开关连接,从而能够在制造后调节时间常数,能够抑制制造离散。进而,通过设置频率传感器自身是否正常动作的自己诊断电路,能够提供可靠性高的频率传感器。
申请公布号 CN100454027C 申请公布日期 2009.01.21
申请号 CN200480042345.8 申请日期 2004.12.06
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 伊藤理惠;定行英一
分类号 G01R23/09(2006.01);H03K5/19(2006.01) 主分类号 G01R23/09(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王以平
主权项 1.一种频率传感器,其特征在于包括:向栅极输入输入时钟信号并且源极与第一电源电位连接的第一导电型的第一MOS晶体管;向栅极输入输入时钟信号并且源极与第二电源电位连接的第二导电型的第二MOS晶体管;连接在上述第一和第二MOS晶体管的漏极之间的电阻;连接在上述第一MOS晶体管的漏极和上述第二电源电位之间的电容;其输入与上述电容和上述电阻的连接节点连接的变极器;栅极与上述变极器的输出连接,漏极与上述变极器的输入连接,源极与上述第二电源电位连接的第二导电型的第三MOS晶体管,其中根据上述变极器的输出信号检测上述输入时钟信号的频率。
地址 日本大阪府