具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对

摘要

一种非易失性存储器晶体管(11，13，21，23，25，31，33，35等等)在存储器阵列的相交的字线对(WL；22，24)及(位线对(BL；10，20)所形成的分离空间内制作成对称的对(14，30)。各个晶体管都具有分离开的源极电极(32)及漏极电极(34)且由沟道分隔开，并且在沟道上还具有悬浮栅极(28，40，42)，具备了电可擦除可编程只读存储器晶体管的基本特征。所不同的是，它没有第二多晶硅栅极，只用了一层单一的多晶硅栅极作为悬浮电荷存储栅极。它与器件的源极或漏极都非常靠近，因此容易产生能带间的隧道效应。该单层多晶硅为T形，具有可用作悬浮栅极的T形底部(42)，以及在字线上延伸且与之具有电容性关系的T形顶部(40)。字线用于与源极或漏极电极一起进行编程及擦除悬浮栅极。可以使用块(字组)擦除模式，以便晶体管的结构用于闪存。

主权项

1.一种非易失性MOS存储器阵列，包括：存储器单元阵列，每个单元都有一对存储器晶体管，每对存储器晶体管在基底上都具有彼此相对的、相同的镜像布局，在俯视投影中显示出该对共用分离的、平行的第一和第二位线，它们与源极和漏极电极相互电连通，该对中的每一晶体管都具有一T形导电的悬浮栅极，其一T形的第一部分在基底上的源极和漏极电极之间，其一T形的第二部分从第一部分开始延伸，各个第二部分都电容性连接于与位线相垂直的不同字线，诸T形与彼此面对的T形底部加以对准。